Al-C-N非晶地膜構造及導熱性鉆研
為了揭示Al-C-N非晶地膜的構造、導熱性以及它們之間的關系,白文采納非失調磁控濺射沉積技能在Si(100)基體上沉積失去了相反Al含量的Al-C-N地膜。運用X射線光電子能譜儀、X射線衍射和高辯白透射電鏡鉆研了所制備地膜的相組成和宏觀構造。采納四引線法測定了地膜電阻率-熱度關系和霍爾電阻率2磁場關系。試驗后果表明,所制備地膜為非晶構造,構造致密,沒有顯然的缺點,地膜中重要的化學鍵為C-N,C-C和Al-N鍵。地膜的成份對其導熱性能有著顯然的莫須有,當Al含量較低時,Al-C-N地膜為p型半超導體;當Al含量較高時地膜轉變為非導體。
因為β-C3N4存在優惠的結晶體構造,硬度預期可勝于金剛石,因而在近二十年來受到了比較的關注。另一上面,N退出碳膜普及了石墨化熱度,還存在半超導體或高阻特點,因而碳氮(CNx)地膜近年來也逐漸失去了人們的注重。同聲,AlN地膜資料存在大禁帶幅度、高熱傳播率系數、較高硬度、良好的化學穩固性,以及在半超導體、光電和壓電性能上面的獨特點質,在光電子器件和微電子器件上存在不行估計的利用后勁。
Al-C-N三元地膜有可能聯合CN和AlN地膜的長處,在維持高硬度、高熱傳播性和良好化學穩固性的同聲,可經過掌握地膜中的Al含量兌現Al-C-N三元地膜帶隙幅度陸續可調。正常覺得,Al-C-N地膜重要含有C-N,Al-C,Al-N等鍵,有較好的熱穩固性(大于600℃),與Al摻雜類金剛石地膜有很大的區別。固然近年來Al2C2N三元地膜失去了定然的鉆研,但其成份、構造與電子學等特點關系的鉆研亟待繼續。
反響磁控濺射法因為存在沉積速率高和可控參數多等長處已變成以后制備多組元地膜最重要的步驟。本試驗聯合反響磁控濺射高速率和中頻濺射高效率的長處,經過改觀濺射時鋁靶和碳靶直流電,大規模地調制Al和C的含量,在單晶Si(100)基體上制備出存在相反Al和C含量的單層Al-C-N地膜樣品。鉆研C和Al的含量對Al-C-N地膜構造和電學性能上面的莫須有及其法則,以期失掉Al-C-N地膜導熱特點與構造之間的關系。
3、論斷
采納四靶中頻非失調磁控濺射沉積工藝,經過調節鋁靶和碳靶的濺射直流電在Si(100)基體上制備失去相反Al含量的Al-C-N地膜。后果預示:
(1)所制備地膜為非晶構造,構造致密,沒有顯然的缺點,地膜中重要的化學鍵為C—N,C—C和Al—N鍵。
(2)地膜的成份對其導熱性能有著顯然的莫須有,當Al含量較低時,Al-C-N地膜為p型半超導體;當Al含量較高時地膜轉變為非導體。
(3)Al3C84N13,Al7C79N14,Al13C71N16和Al19C61N204稼穡膜的帶隙值大概別離為1.41,2.33,6.75和16.6eV。300K熱度時,隨著Al含量的增多,霍爾系數增大。Al3C84N13樣品在高溫時,霍爾系數簡直一成不變,當熱度達成280K后霍爾系數顯然的增大。
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